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故障特点 /电子元器件
电器设备内部的电子元器件虽然数量，但其故障却是有规律可循的。
半导体器件损坏特点
二、三极管的损坏是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿；另一种是PN结的特性变差，用万用表R×1k测，各PN结均正常，但上机后不能正常工作，用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置R×10或R×1档（用R×10档，不明显时再用R×1档）在路测二、三极管的PN结正、反向电阻，正向电阻不太大（正常值），反向电阻足够大（正向值），回收电子，表明该PN结正常，反之就值得怀疑，需焊下后再测。这是电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧，用万用表低阻值档在路测量，可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。
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SMT技术进入90年代以来，走向了成熟的阶段，但随着电子产品向便据式/小型化、网络化和多媒体化方向的迅速发展，对电子组装技术提出了更高的要求，新的高密度组装技术不断涌现，其中BGA(BallGridArray球栅阵列封装)就是一项已经进入实用化阶段的高密度组装技术。本文试图就BGA器件的组装特点以及焊点的质量控制作一介绍。
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检测方法/电子元器件
电解电容器的检测
将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，电容回收，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
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